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区熔硅单晶炉模型

    模型制作工艺:3d打印

    模型制作材质:光敏树脂

    模型制作比例:1:6

    模型制作工期:15个工作日

    模型外围尺寸约:1.90米(高)*0.76米*0.87米

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        传统单晶硅生产采用的是提拉法(CZ),这种方法生产的单晶硅占到 80%以 

    上。但是由于这种生长方法熔区在坩埚内,难以避免会有坩埚污染,无法达到较 

    高纯度等要求,不能满足对单晶硅有更高纯度要求的工业应用领域的需求。而采 

    用区熔法(FZ)生产的单晶硅,由于没有坩埚污染,生长的单晶硅在纯度、各向 

    完整性、微缺陷等各个方面性能良好,能够满足较高使用要求,特别是以 IGBT 

    功率元器件为代表的新型电力电子器件产业要求。 

        由于区熔单晶硅生长技术门槛高,全球的区熔单晶硅生产商数量少,全球前 

    5 家公司垄断了全部产量的 95.5%以上。目前处于领先地位的是日本信越公司 

    (Shinetu)和德国 Siltronic 公司(德国 Wacker 公司控股),2008 年 Siltronic 

    公司已开始少量销售 8 英寸区熔单晶硅片。目前 6 英寸级商业化的设备供应商只 

    有 PVA-Tepla 公司进入国内,处于垄断地位。因此,研发制造国产化的 6-8 英寸 

    区熔单晶硅生长设备是打破国外技术垄断、缩小我国区熔单晶硅材料制造技术与 

    国际先进水平差距的必由之路。


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